选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响
	张益; 潘钟; 杜云; 陈志标; 郑联喜; 吴荣汉
	1998
Source Publication	半导体学报
Volume	19 Issue:1 Pages:76
Abstract	提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法。利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微区光反射谱，通对模拟计算得到这些部分的厚度偏差及其对模式波长偏移的影响，使调整后再生长的器件模式位置大为改善，并为器件后期制备的模式调节提供了可靠的依据。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体器件
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:423659
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:3[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19211
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张益,潘钟,杜云,等. 选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响[J]. 半导体学报,1998,19(1):76.
APA	张益,潘钟,杜云,陈志标,郑联喜,&吴荣汉.(1998).选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响.半导体学报,19(1),76.
MLA	张益,et al."选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响".半导体学报 19.1(1998):76.

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