SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析
彭英才; 刘明; 余明斌; 李月霞; 奚中和; 何宇亮
1998
Source Publication半导体学报
Volume19Issue:8Pages:583
Abstract采用常规PECVD工艺,在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜,并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10~100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出,当反向偏压为-7~-9V时,无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶,此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中,由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺,以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜,有可能实现更高温度范围内的共振隧穿。
metadata_83河北大学电子与信息工程系;北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室;中科院半导体所;北京大学无线电电子学系
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,河北省自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:423689
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19201
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
彭英才,刘明,余明斌,等. nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析[J]. 半导体学报,1998,19(8):583.
APA 彭英才,刘明,余明斌,李月霞,奚中和,&何宇亮.(1998).nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析.半导体学报,19(8),583.
MLA 彭英才,et al."nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析".半导体学报 19.8(1998):583.
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