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nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 | |
彭英才; 刘明; 余明斌; 李月霞; 奚中和; 何宇亮 | |
1998 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 19Issue:8Pages:583 |
Abstract | 采用常规PECVD工艺,在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜,并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10~100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出,当反向偏压为-7~-9V时,无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶,此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中,由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺,以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜,有可能实现更高温度范围内的共振隧穿。 |
metadata_83 | 河北大学电子与信息工程系;北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室;中科院半导体所;北京大学无线电电子学系 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,河北省自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:423689 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19201 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 彭英才,刘明,余明斌,等. nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析[J]. 半导体学报,1998,19(8):583. |
APA | 彭英才,刘明,余明斌,李月霞,奚中和,&何宇亮.(1998).nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析.半导体学报,19(8),583. |
MLA | 彭英才,et al."nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析".半导体学报 19.8(1998):583. |
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