SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征
吴正龙; 杨锡震; 秦复光
1998
Source Publication北京师范大学学报. 自然科学版
Volume34Issue:2Pages:206
Abstract用电子能谱分析方法对低能离子束外延(IBE)生长的β-FeSi_2进行了详细研究,并对其电子能谱进行了表征。实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符,用XPS价带谱来表征β-FeSi_2比光电子峰更为清晰、可取。同时,对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能IBE生长机理进行了探讨。经研究认为:Fe,Si通过空位机制进行的增强互扩散,在高温下生长出与Si晶格相匹配的β-FeSi_2。
metadata_83北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19193
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
吴正龙,杨锡震,秦复光. 离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1998,34(2):206.
APA 吴正龙,杨锡震,&秦复光.(1998).离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征.北京师范大学学报. 自然科学版,34(2),206.
MLA 吴正龙,et al."离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征".北京师范大学学报. 自然科学版 34.2(1998):206.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5680.pdf(395KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[吴正龙]'s Articles
[杨锡震]'s Articles
[秦复光]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[吴正龙]'s Articles
[杨锡震]'s Articles
[秦复光]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[吴正龙]'s Articles
[杨锡震]'s Articles
[秦复光]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.