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半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究 | |
韩培德![]() | |
1998 | |
Source Publication | 电子显微学报
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Volume | 17Issue:1Pages:44 |
Abstract | 应用电子显微镜首次在ZnTe外延膜中观察到分布在(111)和(-1-11)滑移面上、宽度为40nm的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错,其Burgers矢量为三个相同的<112>a/6。在进行了各种衍衬的分析和模拟之后,这类三重位错带被证明是由两个部分重叠的层错组成的。它们的来源归结为两个相互垂直扩展的失配位错的“强制”反应。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:430911 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19183 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 韩培德. 半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究[J]. 电子显微学报,1998,17(1):44. |
APA | 韩培德.(1998).半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究.电子显微学报,17(1),44. |
MLA | 韩培德."半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究".电子显微学报 17.1(1998):44. |
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