半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究
	韩培德
	1998
Source Publication	电子显微学报
Volume	17 Issue:1 Pages:44
Abstract	应用电子显微镜首次在ZnTe外延膜中观察到分布在(111)和(-1-11)滑移面上、宽度为40nm的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错，其Burgers矢量为三个相同的<112>a/6。在进行了各种衍衬的分析和模拟之后，这类三重位错带被证明是由两个部分重叠的层错组成的。它们的来源归结为两个相互垂直扩展的失配位错的“强制”反应。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:430911
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19183
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	韩培德. 半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究[J]. 电子显微学报,1998,17(1):44.
APA	韩培德.(1998).半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究.电子显微学报,17(1),44.
MLA	韩培德."半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究".电子显微学报 17.1(1998):44.

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