SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究
韩培德
1998
Source Publication电子显微学报
Volume17Issue:1Pages:44
Abstract应用电子显微镜首次在ZnTe外延膜中观察到分布在(111)和(-1-11)滑移面上、宽度为40nm的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错,其Burgers矢量为三个相同的<112>a/6。在进行了各种衍衬的分析和模拟之后,这类三重位错带被证明是由两个部分重叠的层错组成的。它们的来源归结为两个相互垂直扩展的失配位错的“强制”反应。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:430911
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19183
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韩培德. 半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究[J]. 电子显微学报,1998,17(1):44.
APA 韩培德.(1998).半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究.电子显微学报,17(1),44.
MLA 韩培德."半导体ZnTe外延层中三重位错带的显微结构研究".电子显微学报 17.1(1998):44.
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