GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
	王杏华; 李国华; 李承芳; 李月霞; 程文超; 宋爱民; 刘剑; 王志明
	1998
Source Publication	发光学报
Volume	19 Issue:3 Pages:202
Abstract	采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:432467
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19177
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王杏华,李国华,李承芳,等. GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性[J]. 发光学报,1998,19(3):202.
APA	王杏华.,李国华.,李承芳.,李月霞.,程文超.,...&王志明.(1998).GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性.发光学报,19(3),202.
MLA	王杏华,et al."GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性".发光学报 19.3(1998):202.

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