GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
	王杏华; 李国华; 李承芳; 李月霞; 程文超; 宋爱民; 刘剑; 王志明
	1998
Source Publication	发光学报
Volume	19 Issue:3 Pages:202
Abstract	采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:432467
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19177
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王杏华,李国华,李承芳,等. GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性[J]. 发光学报,1998,19(3):202.
APA	王杏华.,李国华.,李承芳.,李月霞.,程文超.,...&王志明.(1998).GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性.发光学报,19(3),202.
MLA	王杏华,et al."GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性".发光学报 19.3(1998):202.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库