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GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性 | |
王杏华; 李国华; 李承芳; 李月霞; 程文超; 宋爱民; 刘剑![]() | |
1998 | |
Source Publication | 发光学报
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Volume | 19Issue:3Pages:202 |
Abstract | 采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵,其光荧光谱显示出蓝移,并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:432467 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19177 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王杏华,李国华,李承芳,等. GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性[J]. 发光学报,1998,19(3):202. |
APA | 王杏华.,李国华.,李承芳.,李月霞.,程文超.,...&王志明.(1998).GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性.发光学报,19(3),202. |
MLA | 王杏华,et al."GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性".发光学报 19.3(1998):202. |
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