SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响
彭英才; 刘明; 何宇亮; 江兴流; 李国华; 韩和相
1998
Source Publication发光学报
Volume19Issue:1Pages:56
Abstract利用常规等离了体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10~250K温度范围内进行了变温测量。实验结果指出,随着测试温度升高,PL峰值能量发生了54meV的红移,PL强度在T>80K后呈指数下降趋势。PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩,而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。
metadata_83河北大学电子与信息工程系;北京航空航天大学非晶态物理研究室;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization河北省自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:432491
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19175
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
彭英才,刘明,何宇亮,等. 测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响[J]. 发光学报,1998,19(1):56.
APA 彭英才,刘明,何宇亮,江兴流,李国华,&韩和相.(1998).测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响.发光学报,19(1),56.
MLA 彭英才,et al."测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响".发光学报 19.1(1998):56.
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