紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析
	陈少武
	1998
Source Publication	光电子·激光
Volume	9 Issue:6 Pages:469
Abstract	采用电磁波标量衍射理论研究了紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模的近场衍射特性,并据此得出了零级衍射抑制的条件,采用数值模拟方法研究了相位掩模制作误差对零级衍射抑制的影响。分析表明, 为使零级衍射效率小于5％,相位掩模的刻槽深度和占空比制作误差必须控制在Δh〈38 nm和Δf<0.11的范围内。
metadata_83	中科院半导体所国家光电子工艺中心
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:437432
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19159
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈少武. 紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析[J]. 光电子·激光,1998,9(6):469.
APA	陈少武.(1998).紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析.光电子·激光,9(6),469.
MLA	陈少武."紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析".光电子·激光 9.6(1998):469.

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