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紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析 | |
陈少武![]() | |
1998 | |
Source Publication | 光电子·激光
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Volume | 9Issue:6Pages:469 |
Abstract | 采用电磁波标量衍射理论研究了紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模的近场 衍射特性,并据此得出了零级衍射抑制的条件,采用数值模拟方法研究了相位掩模制作误差对零级衍射抑制的影响。分析表明, 为使零级衍射效率小于5%,相位掩模的刻槽深度和占空比制作误差必须控制在Δh〈38 nm和Δf<0.11的范围内。 |
metadata_83 | 中科院半导体所国家光电子工艺中心 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:437432 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19159 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈少武. 紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析[J]. 光电子·激光,1998,9(6):469. |
APA | 陈少武.(1998).紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析.光电子·激光,9(6),469. |
MLA | 陈少武."紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析".光电子·激光 9.6(1998):469. |
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