SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析
陈少武
1998
Source Publication光电子·激光
Volume9Issue:6Pages:469
Abstract采用电磁波标量衍射理论研究了紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模的近场 衍射特性,并据此得出了零级衍射抑制的条件,采用数值模拟方法研究了相位掩模制作误差对零级衍射抑制的影响。分析表明, 为使零级衍射效率小于5%,相位掩模的刻槽深度和占空比制作误差必须控制在Δh〈38 nm和Δf<0.11的范围内。
metadata_83中科院半导体所国家光电子工艺中心
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:437432
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19159
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈少武. 紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析[J]. 光电子·激光,1998,9(6):469.
APA 陈少武.(1998).紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析.光电子·激光,9(6),469.
MLA 陈少武."紫外写入光纤光栅用亚μm相位掩模板制作误差容限分析".光电子·激光 9.6(1998):469.
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