铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光
	薛俊明; 周伟; 孙钟林
	1998
Source Publication	光电子·激光
Volume	9 Issue:4 Pages:301
Abstract	在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300 ℃和400 ℃热退火后,测得了来自发光中心Er~(3+)内层4f电子跃迁的1.54 μm光致发光。400 ℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。
metadata_83	南开大学光电子所;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	材料科学与工程重点实验室基金,光学信息技术科学开放实验室基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:437481
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19157
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	薛俊明,周伟,孙钟林. 铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光[J]. 光电子·激光,1998,9(4):301.
APA	薛俊明,周伟,&孙钟林.(1998).铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光.光电子·激光,9(4),301.
MLA	薛俊明,et al."铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光".光电子·激光 9.4(1998):301.

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