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| 铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光 | |
| 薛俊明; 周伟; 孙钟林 | |
| 1998 | |
| Source Publication | 光电子·激光
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| Volume | 9Issue:4Pages:301 |
| Abstract | 在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300 ℃和400 ℃热退火后,测得了来自发光中心Er~(3+)内层4f电子跃迁的1.54 μm光致发光。400 ℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。 |
| metadata_83 | 南开大学光电子所;中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 材料科学与工程重点实验室基金,光学信息技术科学开放实验室基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:437481 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19157 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 薛俊明,周伟,孙钟林. 铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光[J]. 光电子·激光,1998,9(4):301. |
| APA | 薛俊明,周伟,&孙钟林.(1998).铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光.光电子·激光,9(4),301. |
| MLA | 薛俊明,et al."铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光".光电子·激光 9.4(1998):301. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5662.pdf（243KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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