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光电子材料InP与金属接触的物理特性研究 | |
徐建成; 陈定钦 | |
1998 | |
Source Publication | 光电子·激光
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Volume | 9Issue:1Pages:68 |
Abstract | 讨论了InP与金属接触时的电荷输运方式;给出了n型InP材料掺杂浓度为(1×10~(15) ~1×10~(17)) cm~(-3)时电子输运(以热电子发射为主)的数学表达式; 测量了国产InP单晶与一些金属的接触势垒;分析了“金属—n~+-InP”结构,得到了n~+区厚度和势垒高度间的关系。理论结果与实验符合,表明采用该结构,可得到一个势垒极低的金属与InP电极的欧姆接触。 |
metadata_83 | 首都师范大学物理系;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:437490 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19155 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 徐建成,陈定钦. 光电子材料InP与金属接触的物理特性研究[J]. 光电子·激光,1998,9(1):68. |
APA | 徐建成,&陈定钦.(1998).光电子材料InP与金属接触的物理特性研究.光电子·激光,9(1),68. |
MLA | 徐建成,et al."光电子材料InP与金属接触的物理特性研究".光电子·激光 9.1(1998):68. |
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