SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
光电子材料InP与金属接触的物理特性研究
徐建成; 陈定钦
1998
Source Publication光电子·激光
Volume9Issue:1Pages:68
Abstract讨论了InP与金属接触时的电荷输运方式;给出了n型InP材料掺杂浓度为(1×10~(15) ~1×10~(17)) cm~(-3)时电子输运(以热电子发射为主)的数学表达式; 测量了国产InP单晶与一些金属的接触势垒;分析了“金属—n~+-InP”结构,得到了n~+区厚度和势垒高度间的关系。理论结果与实验符合,表明采用该结构,可得到一个势垒极低的金属与InP电极的欧姆接触。
metadata_83首都师范大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:437490
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19155
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
徐建成,陈定钦. 光电子材料InP与金属接触的物理特性研究[J]. 光电子·激光,1998,9(1):68.
APA 徐建成,&陈定钦.(1998).光电子材料InP与金属接触的物理特性研究.光电子·激光,9(1),68.
MLA 徐建成,et al."光电子材料InP与金属接触的物理特性研究".光电子·激光 9.1(1998):68.
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