光电子材料InP与金属接触的物理特性研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	光电子材料InP与金属接触的物理特性研究
	徐建成; 陈定钦
	1998
Source Publication	光电子·激光
Volume	9 Issue:1 Pages:68
Abstract	讨论了InP与金属接触时的电荷输运方式;给出了n型InP材料掺杂浓度为(1×10~(15) ～1×10~(17)) cm~(-3)时电子输运(以热电子发射为主)的数学表达式; 测量了国产InP单晶与一些金属的接触势垒;分析了“金属—n~+-InP”结构,得到了n~+区厚度和势垒高度间的关系。理论结果与实验符合,表明采用该结构,可得到一个势垒极低的金属与InP电极的欧姆接触。
metadata_83	首都师范大学物理系;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:437490
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19155
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	徐建成,陈定钦. 光电子材料InP与金属接触的物理特性研究[J]. 光电子·激光,1998,9(1):68.
APA	徐建成,&陈定钦.(1998).光电子材料InP与金属接触的物理特性研究.光电子·激光,9(1),68.
MLA	徐建成,et al."光电子材料InP与金属接触的物理特性研究".光电子·激光 9.1(1998):68.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库