SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨
岳瑞峰; 王佑祥; 陈春华
1998
Source Publication硅酸盐学报
Volume26Issue:5Pages:565
Abstract利用二次离子质谱(SIMS)并结合X-射线衍射分析(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850-1100℃空气中退火时的初始氧化行为。结果表明, 未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在退火10min的条件下, 随着退火温度的增加, 富氧层迅速增厚。在1100℃退火20min的条件下, AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后, 结合化学热力学, 探讨了AlN陶瓷基板表面的初始氧化机理。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体化学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:438764
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19145
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
岳瑞峰,王佑祥,陈春华. AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨[J]. 硅酸盐学报,1998,26(5):565.
APA 岳瑞峰,王佑祥,&陈春华.(1998).AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨.硅酸盐学报,26(5),565.
MLA 岳瑞峰,et al."AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨".硅酸盐学报 26.5(1998):565.
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