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| InGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收 | |
| 庄乾东; 李晋闽; 曾一平; 潘量; 孔梅影; 林兰英 | |
| 1998 | |
| Source Publication | 红外与毫米波学报
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| Volume | 17Issue:6Pages:477 |
| Abstract | 利用分子束外延技术,生长了30周期的InGaAs/GaAs量子点超晶格。透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准。红外吸收测试观察到明显的垂直入射红外吸收,吸收范围在8.5 μm～10.4 μm之间,峰值波长为9.9 μm,第一次实现了响应8 μm～12 μm大气窗口的量子点的垂直入射红外吸收,这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 中科院半导体所所长基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:441471 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19141 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 庄乾东,李晋闽,曾一平,等. InGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收[J]. 红外与毫米波学报,1998,17(6):477. |
| APA | 庄乾东,李晋闽,曾一平,潘量,孔梅影,&林兰英.(1998).InGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收.红外与毫米波学报,17(6),477. |
| MLA | 庄乾东,et al."InGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收".红外与毫米波学报 17.6(1998):477. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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