RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究
	赵玉文; 李仲明; 何少琪; 王文静; 寥显伯; 盛殊然; 邓礼生; 潘广勤
	1998
Source Publication	太阳能学报
Volume	19 Issue:2 Pages:152
Abstract	报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly -Si)薄膜及电池的实验和结果。采用SiH_2Co_2作为原料气体，衬底温度为1030℃时，薄膜的生长速率为10nm/s。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm~2的p~+n结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm~2,25℃)。
metadata_83	北京市太阳能所;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:462214
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19129
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	赵玉文,李仲明,何少琪,等. RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究[J]. 太阳能学报,1998,19(2):152.
APA	赵玉文.,李仲明.,何少琪.,王文静.,寥显伯.,...&潘广勤.(1998).RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究.太阳能学报,19(2),152.
MLA	赵玉文,et al."RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究".太阳能学报 19.2(1998):152.

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