Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究 | |
赵玉文; 李仲明; 何少琪; 王文静; 寥显伯; 盛殊然; 邓礼生; 潘广勤 | |
1998 | |
Source Publication | 太阳能学报
![]() |
Volume | 19Issue:2Pages:152 |
Abstract | 报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly -Si)薄膜及电池的实验和结果。采用SiH_2Co_2作为原料气体,衬底温度为1030℃时,薄膜的生长速率为10nm/s。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm~2的p~+n结样品电池,无减反射涂层,其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm~2,25℃)。 |
metadata_83 | 北京市太阳能所;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:462214 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19129 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 赵玉文,李仲明,何少琪,等. RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究[J]. 太阳能学报,1998,19(2):152. |
APA | 赵玉文.,李仲明.,何少琪.,王文静.,寥显伯.,...&潘广勤.(1998).RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究.太阳能学报,19(2),152. |
MLA | 赵玉文,et al."RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究".太阳能学报 19.2(1998):152. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
5648.pdf(335KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment