SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究
郭晓旭; 朱美芳; 刘金龙; 韩一琴; 许怀哲; 董宝中; 生文君; 韩和相
1998
Source Publication物理学报
Volume47Issue:9Pages:1542
Abstract采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χ_c随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH_2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH_2形式存在于晶粒的界面。
metadata_83中国科学技术大学物理系;中科院高能物理所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:465695
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19115
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
郭晓旭,朱美芳,刘金龙,等. 高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究[J]. 物理学报,1998,47(9):1542.
APA 郭晓旭.,朱美芳.,刘金龙.,韩一琴.,许怀哲.,...&韩和相.(1998).高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究.物理学报,47(9),1542.
MLA 郭晓旭,et al."高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究".物理学报 47.9(1998):1542.
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