SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究
卢励吾; 张砚华; Ge Weikun; Sou I K; Wang Y; Wang J; Ma Z H; Chen W S; Wong G K L
1998
Source Publication物理学报
Volume47Issue:2Pages:286
Abstract应用电容-电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x外延层深中心。Al掺杂ZnS_(0.977)Te_(0.023)的光致荧光强度明显低于不掺杂的ZnS_(0.977)Te_(0.023),这表明一部分Al原子形成非辐射深中心。Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x(x=0,0.017,0.04和0.046)的深能级瞬态傅里叶谱表明,Al引进导带下的0.21和0.39eV电子陷阱,Te除了作为材料合金的成分和等电子中心外,还涉及到一个电子陷阱的形成,其相对导带的能级位置随Te组分增加而减小。实验结果还表明仅有少量掺杂的Al原子形成非辐射中心,这说明Al对于Te组分范围内(x≤0.046)的ZnS_(1-x)Te_x外延层的确是一种非常好的施主杂质。
metadata_83中科院半导体所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization半导体材料开放实验室基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19103
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
卢励吾,张砚华,Ge Weikun,等. 分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究[J]. 物理学报,1998,47(2):286.
APA 卢励吾.,张砚华.,Ge Weikun.,Sou I K.,Wang Y.,...&Wong G K L.(1998).分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究.物理学报,47(2),286.
MLA 卢励吾,et al."分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究".物理学报 47.2(1998):286.
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