SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究
王志明; 封松林; 吕振东; 杨小平; 陈宗圭; 宋春英; 徐仲英; 郑厚植; 王凤莲; 韩培德; 段晓峰
1998
Source Publication物理学报
Volume47Issue:1Pages:89
Abstract利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛,由于应力传递效应,上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生,临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML。透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点,但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合,光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰。
metadata_83中科院半导体所;北京电子显微镜开放实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家攀登计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:465856
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19099
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王志明,封松林,吕振东,等. 自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究[J]. 物理学报,1998,47(1):89.
APA 王志明.,封松林.,吕振东.,杨小平.,陈宗圭.,...&段晓峰.(1998).自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究.物理学报,47(1),89.
MLA 王志明,et al."自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究".物理学报 47.1(1998):89.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5633.pdf(319KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王志明]'s Articles
[封松林]'s Articles
[吕振东]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王志明]'s Articles
[封松林]'s Articles
[吕振东]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王志明]'s Articles
[封松林]'s Articles
[吕振东]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.