SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应
王佑祥; 岳瑞峰; 陈春华
1998
Source Publication物理学报
Volume47Issue:1Pages:75
Abstract用X射线衍射分析、二次离子质谱、卢瑟福背散射谱、俄歇电子能谱等表面分析技术,研究了Ti膜与AlN陶瓷衬底的界面固相反应。在高真空中用电子束蒸发的方法在抛光的200℃AlN陶瓷衬底上淀积200nm的Ti膜,并在真空恒温炉中退火。实验表明,退火中Ti膜与AlN界面发生了扩散与反应。650℃,1h退火已观测到明显的界面反应。界面反应产物主要是钛铝化物及Ti-N化合物。铝化物是Ti-Al二元化合物和Ti-Al-N三元化合物,850℃,4h退火后则主要由Ti_2AlN组成。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:465878
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19097
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王佑祥,岳瑞峰,陈春华. Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应[J]. 物理学报,1998,47(1):75.
APA 王佑祥,岳瑞峰,&陈春华.(1998).Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应.物理学报,47(1),75.
MLA 王佑祥,et al."Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应".物理学报 47.1(1998):75.
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