SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究
徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 殷涛; 赵红东; 廉鹏; 陈良惠; 沈光地
1998
Source Publication物理学报
Volume47Issue:6Pages:945
Abstract用分子束外延生长了GaAs/AlGaAs双量子阱激光器结构样品,并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究。用光荧光技术测量退火样品的n=1量子阱能级跃迁峰值位置,结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移,蓝移量随温度的提高而增大,对退火过程中GaAs/AlGaAs量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析,并与实验结果相比较,获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能。950℃,30s退火条件下,铝原子的扩散系数为6.6×10~(-16)cm~2/s,扩散过程的激活能为5.0eV。
metadata_83北京工业大学电子工程系;中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:465889
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19093
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
徐遵图,徐俊英,杨国文,等. 快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究[J]. 物理学报,1998,47(6):945.
APA 徐遵图.,徐俊英.,杨国文.,张敬明.,殷涛.,...&沈光地.(1998).快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究.物理学报,47(6),945.
MLA 徐遵图,et al."快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究".物理学报 47.6(1998):945.
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