Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究
	岳瑞峰; 王佑祥; 陈春华; 徐传骧
	1998
Source Publication	西安交通大学学报
Volume	32 Issue:4 Pages:9
Abstract	结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti-O键，界面区很窄；450℃退火1h后，有少量元素态Al、Si原子析出，界面区有所展宽，但变化不大；650℃退火1h后，界面发生强烈反应，有TiO和Ti-Al、Ti-Si化合物生成。850℃退火1h后，除上述反应产物外又生成了Ti_2O。
metadata_83	西安交通大学电气工程学院;中科院半导体所;西安交通大学
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家自然科学基金,金属基复合材料国家重点实验室基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:466179
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19089
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	岳瑞峰,王佑祥,陈春华,等. Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究[J]. 西安交通大学学报,1998,32(4):9.
APA	岳瑞峰,王佑祥,陈春华,&徐传骧.(1998).Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究.西安交通大学学报,32(4),9.
MLA	岳瑞峰,et al."Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究".西安交通大学学报 32.4(1998):9.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库