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| Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究 | |
| 岳瑞峰; 王佑祥; 陈春华; 徐传骧 | |
| 1998 | |
| Source Publication | 西安交通大学学报
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| Volume | 32Issue:4Pages:9 |
| Abstract | 结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti-O键，界面区很窄；450℃退火1h后，有少量元素态Al、Si原子析出，界面区有所展宽，但变化不大；650℃退火1h后，界面发生强烈反应，有TiO和Ti-Al、Ti-Si化合物生成。850℃退火1h后，除上述反应产物外又生成了Ti_2O。 |
| metadata_83 | 西安交通大学电气工程学院;中科院半导体所;西安交通大学 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金,金属基复合材料国家重点实验室基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:466179 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:2[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19089 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,等. Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究[J]. 西安交通大学学报,1998,32(4):9. |
| APA | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,&徐传骧.(1998).Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究.西安交通大学学报,32(4),9. |
| MLA | 岳瑞峰,et al."Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究".西安交通大学学报 32.4(1998):9. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5628.pdf（288KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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