Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究 | |
岳瑞峰; 王佑祥; 陈春华; 徐传骧 | |
1998 | |
Source Publication | 西安交通大学学报
![]() |
Volume | 32Issue:4Pages:9 |
Abstract | 结果表明,在淀积过程中,最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti-O键,界面区很窄;450℃退火1h后,有少量元素态Al、Si原子析出,界面区有所展宽,但变化不大;650℃退火1h后,界面发生强烈反应,有TiO和Ti-Al、Ti-Si化合物生成。850℃退火1h后,除上述反应产物外又生成了Ti_2O。 |
metadata_83 | 西安交通大学电气工程学院;中科院半导体所;西安交通大学 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,金属基复合材料国家重点实验室基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:466179 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19089 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,等. Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究[J]. 西安交通大学学报,1998,32(4):9. |
APA | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,&徐传骧.(1998).Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究.西安交通大学学报,32(4),9. |
MLA | 岳瑞峰,et al."Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究".西安交通大学学报 32.4(1998):9. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
5628.pdf(288KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment