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| 氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察 | |
| 王敬; 屠海令; 刘安生; 张椿; 周旗钢; 朱悟新; 高文; 李建明 | |
| 1998 | |
| Source Publication | 中国有色金属学报
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| Volume | 8Issue:4Pages:626 |
| Abstract | 采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术，在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在650℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温20min后消失，而厚区域部分在保温40min后仍存有部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象，提出氢可能是以H_2分子的形式扩散的。 |
| metadata_83 | 北京有色金属研究总院;北京电子显微镜开放实验室;中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体化学 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:480864 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:2[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19061 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王敬,屠海令,刘安生,等. 氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察[J]. 中国有色金属学报,1998,8(4):626. |
| APA | 王敬.,屠海令.,刘安生.,张椿.,周旗钢.,...&李建明.(1998).氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察.中国有色金属学报,8(4),626. |
| MLA | 王敬,et al."氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察".中国有色金属学报 8.4(1998):626. |
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