SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察
王敬; 屠海令; 刘安生; 张椿; 周旗钢; 朱悟新; 高文; 李建明
1998
Source Publication中国有色金属学报
Volume8Issue:4Pages:626
Abstract采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术,在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下,观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下,氢离子注入缺陷层基本没有变化,在650℃保温时,缺陷的密度逐渐降低,样品中薄区域部分的缺陷在保温20min后消失,而厚区域部分在保温40min后仍存有部分缺陷,说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象,提出氢可能是以H_2分子的形式扩散的。
metadata_83北京有色金属研究总院;北京电子显微镜开放实验室;中科院半导体所
Subject Area半导体化学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:480864
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19061
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王敬,屠海令,刘安生,等. 氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察[J]. 中国有色金属学报,1998,8(4):626.
APA 王敬.,屠海令.,刘安生.,张椿.,周旗钢.,...&李建明.(1998).氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察.中国有色金属学报,8(4),626.
MLA 王敬,et al."氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察".中国有色金属学报 8.4(1998):626.
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