GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析
	郑红军; 卜俊鹏; 何宏家; 吴让元; 曹福年; 白玉珂; 惠峰
	1999
Source Publication	固体电子学研究与进展
Volume	19 Issue:1 Pages:111
Abstract	采用TEM、X-ray Rocking Curve等测试的方法，对GaAs晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性SiO_2胶体水溶液加入不同浓度的电解质(NaOCl)后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了SiO_2胶体溶液不稳定对GaAs抛光晶片亚表面损伤层的影响。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:490384
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19059
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	郑红军,卜俊鹏,何宏家,等. GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析[J]. 固体电子学研究与进展,1999,19(1):111.
APA	郑红军.,卜俊鹏.,何宏家.,吴让元.,曹福年.,...&惠峰.(1999).GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析.固体电子学研究与进展,19(1),111.
MLA	郑红军,et al."GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析".固体电子学研究与进展 19.1(1999):111.

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