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GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析 | |
郑红军; 卜俊鹏; 何宏家; 吴让元; 曹福年; 白玉珂; 惠峰 | |
1999 | |
Source Publication | 固体电子学研究与进展
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Volume | 19Issue:1Pages:111 |
Abstract | 采用TEM、X-ray Rocking Curve等测试的方法,对GaAs晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析,探讨了碱性SiO_2胶体水溶液加入不同浓度的电解质(NaOCl)后所发生胶粒带电程度的变化,从胶体理论的角度解释了SiO_2胶体溶液不稳定对GaAs抛光晶片亚表面损伤层的影响。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:490384 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19059 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 郑红军,卜俊鹏,何宏家,等. GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析[J]. 固体电子学研究与进展,1999,19(1):111. |
APA | 郑红军.,卜俊鹏.,何宏家.,吴让元.,曹福年.,...&惠峰.(1999).GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析.固体电子学研究与进展,19(1),111. |
MLA | 郑红军,et al."GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析".固体电子学研究与进展 19.1(1999):111. |
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