整数、分数量子霍耳效应简介

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	整数、分数量子霍耳效应简介
	郑厚植
	1999
Source Publication	半导体学报
Volume	20 Issue:1 Pages:1
Abstract	1998年10月三位美国科学家，Daniel Tsui,Horst Stormer和Robert Laughlin,由于发现分数量子霍耳效应所做出的杰出贡献而获得诺贝尔物理奖，这一重要事件重新引起了人们对量子霍耳效应的关注。该文力图从物理角度概要介绍整数、分数量子霍耳效应的主要物理现象和机制，诸如边缘态,Laughlin态，分数电荷、梯队结构、v=1/2态和组合费米子等。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:490809
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:4[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19057
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	郑厚植. 整数、分数量子霍耳效应简介[J]. 半导体学报,1999,20(1):1.
APA	郑厚植.(1999).整数、分数量子霍耳效应简介.半导体学报,20(1),1.
MLA	郑厚植."整数、分数量子霍耳效应简介".半导体学报 20.1(1999):1.

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