SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
整数、分数量子霍耳效应简介
郑厚植
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:1Pages:1
Abstract1998年10月三位美国科学家,Daniel Tsui,Horst Stormer和Robert Laughlin,由于发现分数量子霍耳效应所做出的杰出贡献而获得诺贝尔物理奖,这一重要事件重新引起了人们对量子霍耳效应的关注。该文力图从物理角度概要介绍整数、分数量子霍耳效应的主要物理现象和机制,诸如边缘态,Laughlin态,分数电荷、梯队结构、v=1/2态和组合费米子等。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:490809
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:4[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19057
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
郑厚植. 整数、分数量子霍耳效应简介[J]. 半导体学报,1999,20(1):1.
APA 郑厚植.(1999).整数、分数量子霍耳效应简介.半导体学报,20(1),1.
MLA 郑厚植."整数、分数量子霍耳效应简介".半导体学报 20.1(1999):1.
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