SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析
韩培德; 杨海峰; 杨辉; 林耀望; 张泽; 李新峰; 周增圻
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:1Pages:58
Abstract运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中,观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶),以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列,并对面缺陷的生成机理进行了讨论。
metadata_83中科院凝聚态物理中心;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization中国博士后基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:490818
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19055
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韩培德,杨海峰,杨辉,等. 分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析[J]. 半导体学报,1999,20(1):58.
APA 韩培德.,杨海峰.,杨辉.,林耀望.,张泽.,...&周增圻.(1999).分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析.半导体学报,20(1),58.
MLA 韩培德,et al."分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析".半导体学报 20.1(1999):58.
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