SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究
孙小玲; 杨辉; 王玉田; 李国华; 郑联喜; 李建斌; 徐大鹏; 王占国
1999
Source Publication中国科学. A辑,数学
Volume29Issue:5Pages:444
Abstract采用高温热退火的方法,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs(001)衬底制备的立方GaN薄膜进行处理,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化。报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征。在GaN/GaAs之间存在一个界面层,高温退火时,来自界面层的TO_B,LO_B声子的强度降低,而来自六角相的E_2声子增强,说明六角相含量增加。样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因。在较低的温度下,六角相含量没有明显变化,而且与退火时间无关。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:493399
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19049
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙小玲,杨辉,王玉田,等. MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究[J]. 中国科学. A辑,数学,1999,29(5):444.
APA 孙小玲.,杨辉.,王玉田.,李国华.,郑联喜.,...&王占国.(1999).MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究.中国科学. A辑,数学,29(5),444.
MLA 孙小玲,et al."MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究".中国科学. A辑,数学 29.5(1999):444.
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