SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅光学特性的研究
马智训; 廖显伯; 孔光临
1999
Source Publication中国科学. A辑,数学
Volume29Issue:7Pages:625
Abstract结合微区Ramman谱,研究了镶嵌在SiO_2基质中纳米硅的吸收谱和光致发光谱。观测到了吸收边随纳米硅尺寸的减小而蓝移的现象。并发现在1.9~3.0eV的能量范围内,纳米硅的吸收系数与能量的关系为一指数关系,这可能是间接带隙的特征,在0.95~1.6eV之间存在次带吸收,这归因于包括非晶相在内的纳米硅表面态和缺陷态。通过发光谱和吸收谱的比较,认为声子可能参与了发光过程。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:493421
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19047
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马智训,廖显伯,孔光临. 纳米硅光学特性的研究[J]. 中国科学. A辑,数学,1999,29(7):625.
APA 马智训,廖显伯,&孔光临.(1999).纳米硅光学特性的研究.中国科学. A辑,数学,29(7),625.
MLA 马智训,et al."纳米硅光学特性的研究".中国科学. A辑,数学 29.7(1999):625.
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