SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MIM隧道发光二极管的电子输运研究
俞建华; 孙承休; 王启明
2000
Source Publication电子科学学刊
Volume22Issue:1Pages:144
Abstract该文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象,用梯形势垒计算了电流-电压特性。结果显示,由于SPP波对电子的阻挡和束缚作用引起的势垒平均宽度的增加所导致的负阻现象与实验结果相符合。
metadata_83东南大学电子工程系;中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:505073
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19033
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
俞建华,孙承休,王启明. MIM隧道发光二极管的电子输运研究[J]. 电子科学学刊,2000,22(1):144.
APA 俞建华,孙承休,&王启明.(2000).MIM隧道发光二极管的电子输运研究.电子科学学刊,22(1),144.
MLA 俞建华,et al."MIM隧道发光二极管的电子输运研究".电子科学学刊 22.1(2000):144.
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