MIM隧道发光二极管的电子输运研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	MIM隧道发光二极管的电子输运研究
	俞建华; 孙承休; 王启明
	2000
Source Publication	电子科学学刊
Volume	22 Issue:1 Pages:144
Abstract	该文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象，用梯形势垒计算了电流-电压特性。结果显示，由于SPP波对电子的阻挡和束缚作用引起的势垒平均宽度的增加所导致的负阻现象与实验结果相符合。
metadata_83	东南大学电子工程系;中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:505073
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19033
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	俞建华,孙承休,王启明. MIM隧道发光二极管的电子输运研究[J]. 电子科学学刊,2000,22(1):144.
APA	俞建华,孙承休,&王启明.(2000).MIM隧道发光二极管的电子输运研究.电子科学学刊,22(1),144.
MLA	俞建华,et al."MIM隧道发光二极管的电子输运研究".电子科学学刊 22.1(2000):144.

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