SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅基键合激光器的研究进展
韩伟华; 余金中; 王启明
2000
Source Publication半导体光电
Volume21Issue:2Pages:77
Abstract硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求。目前制作硅基激光器的方法主要分为两类,异质结外延生长和异质材料键合。键合方法克服了异质结外延生长不可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,它可以将具有直接带隙结构的半导体材料(如Ⅲ-Ⅴ族材料)键合到硅片上,从而制作出硅基键合激光器件。特别是近年来发展起来的低温(小于500℃)直接键合技术,使发光器件与微电子器件的硅基混合光电集成成为可能。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:531817
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18989
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韩伟华,余金中,王启明. 硅基键合激光器的研究进展[J]. 半导体光电,2000,21(2):77.
APA 韩伟华,余金中,&王启明.(2000).硅基键合激光器的研究进展.半导体光电,21(2),77.
MLA 韩伟华,et al."硅基键合激光器的研究进展".半导体光电 21.2(2000):77.
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