SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
日本半导体光电子器件研究与开发的新进展
余金中
2000
Source Publication半导体光电
Volume21Issue:5Pages:305
Abstract根据对日本九所研究所和大学的实地考察, 综述了这些研究机构在光电子器件方面的研究和开发进展, 这些光电器件包括多波长光源和波长可选择光源、电吸收调制器与分布反馈激光器的集成、泵浦用大功率激光器、大功率GaN激光器和平面光波回路等。介绍了日本半导体光电产业的发展现状和趋势。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:531878
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18983
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
余金中. 日本半导体光电子器件研究与开发的新进展[J]. 半导体光电,2000,21(5):305.
APA 余金中.(2000).日本半导体光电子器件研究与开发的新进展.半导体光电,21(5),305.
MLA 余金中."日本半导体光电子器件研究与开发的新进展".半导体光电 21.5(2000):305.
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