SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
利用键合方法转移薄膜材料
韩伟华; 余金中
2000
Source Publication半导体光电
Volume21Issue:6Pages:422
Abstract阐述了利用键合方法转移薄膜材料的技术及其应用。最具竞争力的转移固体薄膜技术主要有键合加选择性腐蚀工艺和注氢智能剥离工艺。这种技术解决了外延生长难以解决的晶格失配问题,为改善器件结构及性能提供了巨大的潜力。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,科技部973计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:531910
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18981
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韩伟华,余金中. 利用键合方法转移薄膜材料[J]. 半导体光电,2000,21(6):422.
APA 韩伟华,&余金中.(2000).利用键合方法转移薄膜材料.半导体光电,21(6),422.
MLA 韩伟华,et al."利用键合方法转移薄膜材料".半导体光电 21.6(2000):422.
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