GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究
	孙小玲; 杨辉; 李国华; 郑联喜; 李建斌; 王玉田; 王占国
	1999
Source Publication	半导体学报
Volume	20 Issue:3 Pages:225
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家863计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532467
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:5[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18961
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	孙小玲,杨辉,李国华,等. GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究[J]. 半导体学报,1999,20(3):225.
APA	孙小玲.,杨辉.,李国华.,郑联喜.,李建斌.,...&王占国.(1999).GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究.半导体学报,20(3),225.
MLA	孙小玲,et al."GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究".半导体学报 20.3(1999):225.

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