SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合
韩德俊; 朱洪亮; Simmons J G; Zhao Q C
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:3Pages:231
Abstract对SiO_2覆盖退火增强InGaAs/InGaAsP/InP激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究。相对于原始样品,退火时无SiO_2覆盖的样品经800℃,30s快速退火后,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了7nm,退火时有SiO_2覆盖的样品经过同样的快速退火后,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了56nm。即在同一片子上实现了在需要量子阱混合的区域带隙的“蓝移”足够大的同时,不希望量子阱混合的区域能带结构的变化创记录的大小。该文认为增大量子阱的宽度、采用无应力的量子阱结构以及引入足够厚的缓冲层可以改善量子阱材料的晶格质量,有利于提高量子阱混合技术的可靠性与重复性,改善量子阱材料的热稳定性。
metadata_83北京师范大学低能核物理所;中科院半导体所;McMaster University
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,北京市科技新星基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532468
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18959
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韩德俊,朱洪亮,Simmons J G,等. 二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合[J]. 半导体学报,1999,20(3):231.
APA 韩德俊,朱洪亮,Simmons J G,&Zhao Q C.(1999).二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合.半导体学报,20(3),231.
MLA 韩德俊,et al."二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合".半导体学报 20.3(1999):231.
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