SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响
张益; 潘钟; 杜云; 黄永箴; 吴荣汉
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:3Pages:260
Abstract结合垂直腔面发射激光器的制备,详细研究了AlAs选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响,给出了合理的定性解释,并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件。在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器。
metadata_83中科院半导体所国家光电子工艺中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532474
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18957
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
张益,潘钟,杜云,等. AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响[J]. 半导体学报,1999,20(3):260.
APA 张益,潘钟,杜云,黄永箴,&吴荣汉.(1999).AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响.半导体学报,20(3),260.
MLA 张益,et al."AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响".半导体学报 20.3(1999):260.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5526.pdf(205KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[张益]'s Articles
[潘钟]'s Articles
[杜云]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[张益]'s Articles
[潘钟]'s Articles
[杜云]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[张益]'s Articles
[潘钟]'s Articles
[杜云]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.