InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性
	郑联喜; 胡雄伟; 韩勤
	1999
Source Publication	半导体学报
Volume	20 Issue:4 Pages:265
Abstract	该文研究了以InAlGaAs作垒层的InAlGaAs/GaAs量子阱的低压金属有机化合物化学汽相淀积(LP-MOCVD)生长及其界面特性，发现在适当生长条件下可以解决InGaAs和AlGaAs在生长温度范围不兼容的问题，得到了高质量的InAlGaAs/GaAs量子阱材料。同时用X光和低温光致发光(PL)谱研究了量子阱结构的界面特性，表明适当的界面生长中断不仅可以改善界面平整度，而且能改善垒层InAlGaAs的质量。
metadata_83	中科院半导体所国家光电子工艺中心
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532475
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18955
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	郑联喜,胡雄伟,韩勤. InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性[J]. 半导体学报,1999,20(4):265.
APA	郑联喜,胡雄伟,&韩勤.(1999).InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性.半导体学报,20(4),265.
MLA	郑联喜,et al."InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性".半导体学报 20.4(1999):265.

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