SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究
张兴宏; 夏冠群; 徐元森; 徐波; 杨玉芬; 王占国
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:4Pages:292
Abstract该文通过变温的Hall测量系统地研究了GaAs基HEMT和PHEMT以及InP基HEMT三种结构材料的电子迁移率μ_n和二维电子浓度n_s。仔细地分析了不同HEMT结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同HEMT材料结构对电子浓度的影响。研究结果表明InP基HEMT的n_s×μ_n值比GaAs基HEMT和PHEMT的n_s×μm值都大,说明可以用n_s×μ_0值来判断HEMT结构材料的性能好坏。
metadata_83中科院上海冶金所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532481
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18949
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张兴宏,夏冠群,徐元森,等. HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究[J]. 半导体学报,1999,20(4):292.
APA 张兴宏,夏冠群,徐元森,徐波,杨玉芬,&王占国.(1999).HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究.半导体学报,20(4),292.
MLA 张兴宏,et al."HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究".半导体学报 20.4(1999):292.
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