SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运
武建青; 刘振兴; 江德生; 孙宝权
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:4Pages:303
Abstract研究了77K温度下掺杂弱耦合GaAs/AlAs窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运,发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同。当在压力下AlAs垒层中的X基态子能级降至E_(Γ1)子能级和E_(Γ2)子能级中间或更低能量位置时,未观察到Γ-Γ共振隧穿到Γ-X共振隧穿的转 变,I-V曲线上的平台并未随压力增大而收缩,反而稍有变宽。同时,平台电流随压力增大而增加,直到与E_(Γ1)-E(Γ1)共振峰电流相当。认为,由于垒层很薄,Γ电子隧穿通过垒层的几率很高,E_(Γ1)-E_(Γ1)共振峰显著高于E_(Γ1)-E_(X1)共振峰,因此,高场畴区内的输运机制在压力下仍由Γ-Γ级联共振隧穿控制。但由于X子级能随压力升高而降低,导致隧穿通过Γ-X垒的几率增加,非共振背景电流增大。由于电流连续性条件的要求,高场区的电场强度增强,导致在高压力下平台宽度随压力稍微变宽。
metadata_83中科院半导体所;中科院物理所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532483
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18947
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
武建青,刘振兴,江德生,等. 流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运[J]. 半导体学报,1999,20(4):303.
APA 武建青,刘振兴,江德生,&孙宝权.(1999).流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运.半导体学报,20(4),303.
MLA 武建青,et al."流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运".半导体学报 20.4(1999):303.
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