SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑
周伯骏; 王占国
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:4Pages:324
Abstract该文展示了中国首根太空砷化镓单晶所具有的火炬头状单晶并有8个小平面的表面形貌。在石英容器设计中考虑了既能经受大的加速度又可避免容器和砷化镓锭条因热膨胀系数不同可能引起的损坏,还介绍了熔区建立后防止熔体和容器内壁接触的办法。考虑到供电仅限于90min,所设计的温控曲线非常好,使空间生长GaAs单晶获得成功。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532487
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18943
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周伯骏,王占国. 中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑[J]. 半导体学报,1999,20(4):324.
APA 周伯骏,&王占国.(1999).中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑.半导体学报,20(4),324.
MLA 周伯骏,et al."中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑".半导体学报 20.4(1999):324.
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