SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器
汪辉; 朱海军; 王晓东; 王海龙; 封松林
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:4Pages:328
Abstract利用一种新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式,制成条型激光器,在室温脉冲工作条件下实现了激射。与测得的光致发光(PL)谱对照,发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合。不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动,说明了激射来自量子点。在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下,纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的1/3(60mA:200mA),给出了一个简单的解释,并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532488
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:4[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18941
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
汪辉,朱海军,王晓东,等. 室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器[J]. 半导体学报,1999,20(4):328.
APA 汪辉,朱海军,王晓东,王海龙,&封松林.(1999).室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器.半导体学报,20(4),328.
MLA 汪辉,et al."室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器".半导体学报 20.4(1999):328.
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