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| 图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究 | |
| 司俊杰; 杨沁清; 高俊华; 滕达; 王启明; 郭丽伟; 周均铭 | |
| 1999 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 20Issue:5Pages:353 |
| Abstract | 该文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/SI超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现。对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍。认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所;中科院物理所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:532494 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:1[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18939 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 司俊杰,杨沁清,高俊华,等. 图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究[J]. 半导体学报,1999,20(5):353. |
| APA | 司俊杰.,杨沁清.,高俊华.,滕达.,王启明.,...&周均铭.(1999).图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究.半导体学报,20(5),353. |
| MLA | 司俊杰,et al."图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究".半导体学报 20.5(1999):353. |
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