SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究
司俊杰; 杨沁清; 高俊华; 滕达; 王启明; 郭丽伟; 周均铭
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:5Pages:353
Abstract该文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/SI超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现。对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光光谱进行了比较,图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍。认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关。
metadata_83中科院半导体所;中科院物理所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532494
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18939
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
司俊杰,杨沁清,高俊华,等. 图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究[J]. 半导体学报,1999,20(5):353.
APA 司俊杰.,杨沁清.,高俊华.,滕达.,王启明.,...&周均铭.(1999).图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究.半导体学报,20(5),353.
MLA 司俊杰,et al."图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究".半导体学报 20.5(1999):353.
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