SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理
俞建华; 孙承休; 高中林; 魏同立; 王启明
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:5Pages:421
Abstract金属/绝缘层/硅(MIS)隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元(SPP)与界面粗糙度的耦合。电流-电压特性曲线中6.5V附近的一个负阻和发射光谱中475nm的峰显示,在硅/二氧化硅界面激发起了与之相应的等离子体振荡。
metadata_83东南大学电子工程系;中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532506
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18929
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
俞建华,孙承休,高中林,等. 金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理[J]. 半导体学报,1999,20(5):421.
APA 俞建华,孙承休,高中林,魏同立,&王启明.(1999).金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理.半导体学报,20(5),421.
MLA 俞建华,et al."金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理".半导体学报 20.5(1999):421.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5512.pdf(314KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[俞建华]'s Articles
[孙承休]'s Articles
[高中林]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[俞建华]'s Articles
[孙承休]'s Articles
[高中林]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[俞建华]'s Articles
[孙承休]'s Articles
[高中林]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.