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| Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀 | |
| 王启元; 王俊; 韩秀峰; 邓惠芳; 王建华; 昝育德; 蔡田海; 郁元桓; 林兰英 | |
| 1999 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 20Issue:6Pages:458 |
| Abstract | 该文报道了一种改进本征吸杂技术－－低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果，在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温(Ramping)退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉(CZ)重掺N型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后IC器件工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心。从经典的成核沉淀理论,讨论了Ramping热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:532514 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:2[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18925 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王启元,王俊,韩秀峰,等. Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀[J]. 半导体学报,1999,20(6):458. |
| APA | 王启元.,王俊.,韩秀峰.,邓惠芳.,王建华.,...&林兰英.(1999).Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀.半导体学报,20(6),458. |
| MLA | 王启元,et al."Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀".半导体学报 20.6(1999):458. |
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