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| δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移 | |
| 程文超; 夏建白; 郑文硕; 黄醒良; 金载元; 林三镐; 瑞恩庆; 李亨宰 | |
| 1999 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Volume | 20Issue:6Pages:497 |
| Abstract | 该文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果。这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释。基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所;半导体物理研究中心 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:532521 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18921 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 程文超,夏建白,郑文硕,等. δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移[J]. 半导体学报,1999,20(6):497. |
| APA | 程文超.,夏建白.,郑文硕.,黄醒良.,金载元.,...&李亨宰.(1999).δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移.半导体学报,20(6),497. |
| MLA | 程文超,et al."δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移".半导体学报 20.6(1999):497. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5508.pdf（320KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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