Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移 | |
程文超; 夏建白; 郑文硕; 黄醒良; 金载元; 林三镐; 瑞恩庆; 李亨宰 | |
1999 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 20Issue:6Pages:497 |
Abstract | 该文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移,它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果。这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释。基于有效质量近似,计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化,理论结果证实了实验结果的正确性。 |
metadata_83 | 中科院半导体所;半导体物理研究中心 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:532521 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18921 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 程文超,夏建白,郑文硕,等. δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移[J]. 半导体学报,1999,20(6):497. |
APA | 程文超.,夏建白.,郑文硕.,黄醒良.,金载元.,...&李亨宰.(1999).δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移.半导体学报,20(6),497. |
MLA | 程文超,et al."δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移".半导体学报 20.6(1999):497. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
5508.pdf(320KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment