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氮化镓缓冲层生长过程分析 | |
刘祥林; 汪连山; 陆大成; 王晓晖; 汪度; 林兰英 | |
1999 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 20Issue:7Pages:529 |
Abstract | 研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500~600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响。提出了生长过程的微观模型,解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家863计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:532528 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18915 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘祥林,汪连山,陆大成,等. 氮化镓缓冲层生长过程分析[J]. 半导体学报,1999,20(7):529. |
APA | 刘祥林,汪连山,陆大成,王晓晖,汪度,&林兰英.(1999).氮化镓缓冲层生长过程分析.半导体学报,20(7),529. |
MLA | 刘祥林,et al."氮化镓缓冲层生长过程分析".半导体学报 20.7(1999):529. |
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