氮化镓缓冲层生长过程分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	氮化镓缓冲层生长过程分析
	刘祥林; 汪连山; 陆大成; 王晓晖; 汪度; 林兰英
	1999
Source Publication	半导体学报
Volume	20 Issue:7 Pages:529
Abstract	研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500～600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响。提出了生长过程的微观模型，解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家863计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532528
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:4[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18915
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘祥林,汪连山,陆大成,等. 氮化镓缓冲层生长过程分析[J]. 半导体学报,1999,20(7):529.
APA	刘祥林,汪连山,陆大成,王晓晖,汪度,&林兰英.(1999).氮化镓缓冲层生长过程分析.半导体学报,20(7),529.
MLA	刘祥林,et al."氮化镓缓冲层生长过程分析".半导体学报 20.7(1999):529.

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