氮化镓缓冲层生长过程分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	氮化镓缓冲层生长过程分析
	刘祥林; 汪连山; 陆大成; 王晓晖; 汪度; 林兰英
	1999
Source Publication	半导体学报
Volume	20 Issue:7 Pages:529
Abstract	研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500～600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响。提出了生长过程的微观模型，解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家863计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532528
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18915
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘祥林,汪连山,陆大成,等. 氮化镓缓冲层生长过程分析[J]. 半导体学报,1999,20(7):529.
APA	刘祥林,汪连山,陆大成,王晓晖,汪度,&林兰英.(1999).氮化镓缓冲层生长过程分析.半导体学报,20(7),529.
MLA	刘祥林,et al."氮化镓缓冲层生长过程分析".半导体学报 20.7(1999):529.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库