低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响
	李建平; 黄大定; 刘金平; 刘学锋; 李灵宵; 朱世荣; 孙殿照; 孔梅影
	1999
Source Publication	半导体学报
Volume	20 Issue:7 Pages:559
Abstract	为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率，研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速率提高了一倍，进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532534
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18911
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	李建平,黄大定,刘金平,等. 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响[J]. 半导体学报,1999,20(7):559.
APA	李建平.,黄大定.,刘金平.,刘学锋.,李灵宵.,...&孔梅影.(1999).低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响.半导体学报,20(7),559.
MLA	李建平,et al."低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响".半导体学报 20.7(1999):559.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库