SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响
李建平; 黄大定; 刘金平; 刘学锋; 李灵宵; 朱世荣; 孙殿照; 孔梅影
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:7Pages:559
Abstract为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率,研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Si的生长速率提高了一倍,进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究,对该现象做了解释。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532534
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18911
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李建平,黄大定,刘金平,等. 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响[J]. 半导体学报,1999,20(7):559.
APA 李建平.,黄大定.,刘金平.,刘学锋.,李灵宵.,...&孔梅影.(1999).低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响.半导体学报,20(7),559.
MLA 李建平,et al."低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响".半导体学报 20.7(1999):559.
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