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低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响 | |
李建平; 黄大定; 刘金平; 刘学锋; 李灵宵; 朱世荣; 孙殿照; 孔梅影 | |
1999 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 20Issue:7Pages:559 |
Abstract | 为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率,研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Si的生长速率提高了一倍,进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究,对该现象做了解释。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:532534 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18911 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李建平,黄大定,刘金平,等. 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响[J]. 半导体学报,1999,20(7):559. |
APA | 李建平.,黄大定.,刘金平.,刘学锋.,李灵宵.,...&孔梅影.(1999).低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响.半导体学报,20(7),559. |
MLA | 李建平,et al."低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响".半导体学报 20.7(1999):559. |
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