ECR  Plasma  CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究
	谭满清; 茅冬生
	1999
Source Publication	半导体学报
Volume	20 Issue:7 Pages:589
Abstract	介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR Plasma CVD)法淀积808nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺，给出工艺条件，探索了膜系监控的方法和优越性，讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532540
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18909
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	谭满清,茅冬生. ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究[J]. 半导体学报,1999,20(7):589.
APA	谭满清,&茅冬生.(1999).ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究.半导体学报,20(7),589.
MLA	谭满清,et al."ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究".半导体学报 20.7(1999):589.

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