氮化镓缓冲层的物理性质

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	氮化镓缓冲层的物理性质
	刘祥林; 汪连山; 陆大成; 王晓晖; 汪度; 林兰英
	1999
Source Publication	半导体学报
Volume	633 Issue:0
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家863计划,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532548
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18903
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘祥林,汪连山,陆大成,等. 氮化镓缓冲层的物理性质[J]. 半导体学报,1999,633(0).
APA	刘祥林,汪连山,陆大成,王晓晖,汪度,&林兰英.(1999).氮化镓缓冲层的物理性质.半导体学报,633(0).
MLA	刘祥林,et al."氮化镓缓冲层的物理性质".半导体学报 633.0(1999).

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