SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
铕离子注入氧化硅膜光发射的研究
王亮; 朱美芳; 郑怀德; 侯延冰; 刘丰珍
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:10Pages:841
Abstract采用铕离子注入热生长SiO_2薄膜的方法,获得掺杂剂量为10~(14) cm~(-2)及10~(15)cm~(-2)的SiO_2:Eu~(3+)硅基复合膜,研究了该薄膜的光致发光退火特性。经1000℃退火后观察到Eu~(3+)的红光发射。在1200℃下氮气中退火观察到Eu~(2+)450 nm的强光发射。讨论了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。
metadata_83中国科学技术大学研究生院物理学部;中科院半导体所;北方交通大学光电子研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532587
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18879
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王亮,朱美芳,郑怀德,等. 铕离子注入氧化硅膜光发射的研究[J]. 半导体学报,1999,20(10):841.
APA 王亮,朱美芳,郑怀德,侯延冰,&刘丰珍.(1999).铕离子注入氧化硅膜光发射的研究.半导体学报,20(10),841.
MLA 王亮,et al."铕离子注入氧化硅膜光发射的研究".半导体学报 20.10(1999):841.
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