SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响
黄万霞; 林理彬; 曾一平; 潘量
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:11Pages:957
Abstract用固定能量为20keV,剂量为10~(11)~10~(13)/cm~2的质子和固定剂量为1×10~(11)/cm~2,能量为30~100keV的质子,对GaAs/AlGaAs多量子阱材料进行辐照,得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系,并进行了讨论。结果表明,质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响,这种影响是通过两种机制引起的。相同能量的质子辐照,随着辐照剂量的增大,对量子阱光致发光峰的破坏增大。相同剂量的质子辐照,当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时,对量子阱光致发光峰的破坏最严重,当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时,对量子阱光致发光峰的破坏反而减小。
metadata_83四川大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家教育部博士点基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532609
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:5[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18865
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄万霞,林理彬,曾一平,等. 质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响[J]. 半导体学报,1999,20(11):957.
APA 黄万霞,林理彬,曾一平,&潘量.(1999).质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响.半导体学报,20(11),957.
MLA 黄万霞,et al."质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响".半导体学报 20.11(1999):957.
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