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质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响 | |
黄万霞; 林理彬; 曾一平; 潘量 | |
1999 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 20Issue:11Pages:957 |
Abstract | 用固定能量为20keV,剂量为10~(11)~10~(13)/cm~2的质子和固定剂量为1×10~(11)/cm~2,能量为30~100keV的质子,对GaAs/AlGaAs多量子阱材料进行辐照,得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系,并进行了讨论。结果表明,质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响,这种影响是通过两种机制引起的。相同能量的质子辐照,随着辐照剂量的增大,对量子阱光致发光峰的破坏增大。相同剂量的质子辐照,当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时,对量子阱光致发光峰的破坏最严重,当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时,对量子阱光致发光峰的破坏反而减小。 |
metadata_83 | 四川大学物理系;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家教育部博士点基金,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:532609 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18865 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 黄万霞,林理彬,曾一平,等. 质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响[J]. 半导体学报,1999,20(11):957. |
APA | 黄万霞,林理彬,曾一平,&潘量.(1999).质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响.半导体学报,20(11),957. |
MLA | 黄万霞,et al."质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响".半导体学报 20.11(1999):957. |
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