质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响
	黄万霞; 林理彬; 曾一平; 潘量
	1999
Source Publication	半导体学报
Volume	20 Issue:11 Pages:957
Abstract	用固定能量为20keV，剂量为10~(11)～10~(13)/cm~2的质子和固定剂量为1×10~(11)/cm~2，能量为30～100keV的质子，对GaAs/AlGaAs多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论。结果表明，质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响，这种影响是通过两种机制引起的。相同能量的质子辐照，随着辐照剂量的增大，对量子阱光致发光峰的破坏增大。相同剂量的质子辐照，当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏最严重，当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏反而减小。
metadata_83	四川大学物理系;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家教育部博士点基金,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532609
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18865
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	黄万霞,林理彬,曾一平,等. 质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响[J]. 半导体学报,1999,20(11):957.
APA	黄万霞,林理彬,曾一平,&潘量.(1999).质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响.半导体学报,20(11),957.
MLA	黄万霞,et al."质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响".半导体学报 20.11(1999):957.

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