SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化
廖友贵; 金鹏; 李乙钢; 张存洲; 潘士宏; 梁基本
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:11Pages:1004
Abstract硫钝化是一种比较有效的钝化GaAs表面的方法。使用Na_2S、S_2Cl_2和CH_3CSNH_2三种化学试剂对表面-本征层-重掺杂层(s-i-n~+)结构的GaAs样品进行了钝化,利用光调制反射谱观察到许多个Franz-Keldysh振荡,测量出本征层的电场强度,研究了GaAs表面硫钝化前后费米能级的变化,并且比较了各种钝化方法的钝化效果。
metadata_83南开大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体化学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532617
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18861
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
廖友贵,金鹏,李乙钢,等. 用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化[J]. 半导体学报,1999,20(11):1004.
APA 廖友贵,金鹏,李乙钢,张存洲,潘士宏,&梁基本.(1999).用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化.半导体学报,20(11),1004.
MLA 廖友贵,et al."用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化".半导体学报 20.11(1999):1004.
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