SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究
廉鹏; 邹德恕; 高国; 殷涛; 陈昌华; 徐遵图; 陈建新; 沈光地; 曹青; 马骁宇; 陈良惠
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:1Pages:44
Abstract利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×10~(20)cm~(-3)的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al_(0.3Ga_(0.7)As外延层。在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子进980nm大功率半导体激光器结构,并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。
metadata_83北京工业大学电子工程系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization北京市科委课题,北京市自然科学基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532650
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18839
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
廉鹏,邹德恕,高国,等. MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究[J]. 半导体学报,2000,21(1):44.
APA 廉鹏.,邹德恕.,高国.,殷涛.,陈昌华.,...&陈良惠.(2000).MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究.半导体学报,21(1),44.
MLA 廉鹏,et al."MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究".半导体学报 21.1(2000):44.
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