SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率
王若桢; 田强; 江德生
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:1Pages:89
Abstract提出了用调制光谱信号强度表征半导体体材料及微结构的非线性极化率,研究了测量的原理和方法。对玻璃中量子点电反射调制光谱信号强度随团簇颗粒尺寸的不同而产生几个数量级变化的原因作出了解释。
metadata_83北京师范大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532658
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18835
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王若桢,田强,江德生. 用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率[J]. 半导体学报,2000,21(1):89.
APA 王若桢,田强,&江德生.(2000).用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率.半导体学报,21(1),89.
MLA 王若桢,et al."用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率".半导体学报 21.1(2000):89.
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