SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)
王启元; 蔡田海; 郁元桓; 林兰英
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:5Pages:426
Abstract随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求。与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比,硅外延片一般能满足这些要求。该文报道了应用于先进集成电路的150mmP/P~+ CMOS硅外延片研究进展。在PE2061硅外延炉上进行了P/P~+硅外延生长。外延片特征参数,如外延层厚度、电阻率均匀性,过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征。研究表明:150mm P/P~+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家九五计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532721
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18799
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王启元,蔡田海,郁元桓,等. 用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)[J]. 半导体学报,2000,21(5):426.
APA 王启元,蔡田海,郁元桓,&林兰英.(2000).用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文).半导体学报,21(5),426.
MLA 王启元,et al."用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)".半导体学报 21.5(2000):426.
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